三星电子于21日发表，成功开发出第三代10纳米级（1z）8GbDDR4DRAM，预计下半年量产。

据《ZDNetKorea》报导，三星电子表示，在二代10纳米级（1y）DRAM量产后，相隔16个月成功开发出10纳米级（1z）DRAM，并成功克服史上细微工艺的极限。

特别的是，10纳米级（1z）DRAM的开发过程中，三星电子并没有使用每台价值1千亿韩元以上的极紫外线（EUV）装备，这也证明三星电子拥有的工艺技术，与现有的10纳米级（1y）DRAM相比，10纳米级（1z）DRAM的生产效率提高20％以上。EUV（ExtremeUltraviolet的略称）是在半导体上绘制电路时所需的微影技术，能协助制造商发展更精细的制程。

三星电子计划在下半年量产10纳米级（1z）DRAM，并在明年进一步供应全新一代DRAM（DDR5、LDDDR5等），并采取积极与大企业合作，通过合力开发新系统的方式，加快市场换新设备。

DRAM能应用于智能手机、桌电、笔电、服务器以及电视等多元设备上，是一种存储器半导体。DRAM芯片上能储存、控制数亿的存储单元（cell），8Gb代表着能控制80亿以上的存储单元。DDR则指数据处理速度，根据DRAM处理速度分级，DDR后面的数字越大，就代表处理速度越快。

纳米级则是代表镭射于DRAM芯片的电路大小，纳米级水平中还有再分阶段，从x的后段制程，发展至中段y制程，再来发展至前段的z制程。这次开发成功的10纳米级（1z）就是指10纳米工艺接近前段水平。

此次发表的10纳米（1z）DRAM计算机用DDR4模块，已经获得获得PC厂商的评估，预计能正式扩大客户需求。